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半导体所举行“纪念王守武院士诞辰100周年”座谈会

文章来源:半导体研究所   发布时间:2019-03-15  【字号:     】  

  3月15日上午,中国科学院半导体研究所举行座谈会,纪念我国着名半导体器件物理学家、微电子学家、中国半导体科学技术的开拓者与奠基人之一、中国科学院院士王守武诞辰100周年。半导体所党委书记、副所长冯仁国以及王守武的学生、同事和朋友20余人参加了此次座谈会。

  王守武,1919年3月生于江苏。1941年王守武毕业于上海同济大学,1945年赴美留学,1949年获美国普渡大学博士研究生学位,1950年回国后先后任中科院应用物理研究所半导体研究室室主任、中科院半导体所副所长、中科院109厂厂长和中科院微电子中心名誉主任等职。1958年筹建了我国第一个晶体管工厂。1963年起致力于砷化镓激光器的研究工作,创造了简易的光学定晶向的方法,促进了我国第一个砷化镓激光器的研制成功。1973年起,在领导研究砷化镓中高场畴的动力学以及PNPN负阻激光器的瞬态和光电特性的过程中,提出了一些很有创见的学术观点。1978年带领科技人员进行提高大规模集成电路芯片成品率的研究,解决了一系列技术难题,使我国大规模集成电路芯片的成品率有显着提高,成本大为降低。1979年获全国劳动模范称号,1980年当选为中科院院士(学部委员)。先后获中科院科研成果一等奖、中科院科技进步奖二等奖和国家科技进步奖二等奖等。

  冯仁国首先介绍了王守武“永争第一”的钻研精神、献身祖国的高尚情操和宽厚待人、严于律己的人生信念,号召年轻一代科技工作者要学习王守武勇攀科技高峰、立足国家需求的科技报国精神,理论、技术和实践三方面并重的工匠精神。

  座谈会上,研究员余金中、牛智川等与会人员纷纷发言,盛赞王守武为我国科技事业、特别是半导体事业做出的卓越贡献,感怀他兼容并包、海纳百川的胸怀,严谨求实、一丝不苟的治学态度和甘为人梯、提携后进的无私奉献精神。

 

座谈会现场




(责任编辑:叶瑞优)

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